院況簡介
1949年,伴隨著新中國的誕生,中國科學院成立。
作為國家在科學技術方面的最高學術機構和全國自然科學與高新技術的綜合研究與發(fā)展中心,建院以來,中國科學院時刻牢記使命,與科學共進,與祖國同行,以國家富強、人民幸福為己任,人才輩出,碩果累累,為我國科技進步、經(jīng)濟社會發(fā)展和國家安全做出了不可替代的重要貢獻。 更多簡介 +
院領導集體
機構設置
創(chuàng)新單元
科技獎勵
科技期刊
工作動態(tài)/ 更多
中國科學院學部
中國科學院院部
語音播報
????襯底作為二維材料緊密接觸的支撐結構,其鄰近摻雜效應可顯著調(diào)控二維材料光學特性。因此,探討襯底調(diào)控的內(nèi)在機理,可為按需定制高性能光電器件提供關鍵手段。
????近期,中國科學院上海光學精密機械研究所研究員王俊團隊在襯底調(diào)控二維材料光學與載流子動力學行為研究方面取得進展。相關研究成果以Proximity Doping in Monolayer MoS2: Multimodal Insights into Optical Modulation and Ultrafast Carrier Dynamic為題,發(fā)表在《激光與光子學評論》(Laser & Photonics Reviews)上。
研究人員利用光致發(fā)光、拉曼光譜及吸收光譜等技術證實,鄰近摻雜效應使轉移在云母(Mica)、藍寶石、FTO及ITO襯底上的單層MoS?光學行為呈現(xiàn)顯著差異,且其熒光特性由傳統(tǒng)激子主導轉變?yōu)樨撾姾杉ぷ?/span>主導。同時,研究將瞬態(tài)吸收光譜與熒光壽命成像顯微鏡技術相結合,表明鄰近摻雜效應直接調(diào)控MoS?中載流子生成與復合動力學過程。研究顯示,ITO襯底上的MoS?表現(xiàn)出顯著的載流子壽命和熒光壽命縮短,其原因在于隨著載流子密度增加,材料中的缺陷捕獲電荷可能性增加,且被捕獲的載流子能保持更長時間,減少它們對電荷傳輸貢獻并增加復合可能性,進而使載流子壽命縮短。進一步,研究人員基于計算得到的載流子密度,并結合速率方程建立了理論模型。該模型與實驗數(shù)據(jù)高度吻合,為調(diào)控機制提供了理論支撐。
這一研究揭示了襯底對二維材料光電性質(zhì)的調(diào)控機理,為設計并優(yōu)化高性能二維材料光電器件開辟了新途徑。
單層MoS2在不同襯底上的熒光特性、熒光壽命成像實驗結果及瞬態(tài)吸收實驗與模型結果
© 1996 - 中國科學院 版權所有 京ICP備05002857號-1 京公網(wǎng)安備110402500047號 網(wǎng)站標識碼bm48000002
地址:北京市西城區(qū)三里河路52號 郵編:100864
電話: 86 10 68597114(總機) 86 10 68597289(總值班室)
© 1996 - 中國科學院 版權所有 京ICP備05002857號-1 京公網(wǎng)安備110402500047號 網(wǎng)站標識碼bm48000002
地址:北京市西城區(qū)三里河路52號 郵編:100864
電話: 86 10 68597114(總機) 86 10 68597289(總值班室)
© 1996 - 中國科學院 版權所有
京ICP備05002857號-1京公網(wǎng)安備110402500047號
網(wǎng)站標識碼bm48000002
地址:北京市西城區(qū)三里河路52號 郵編:100864
電話:86 10 68597114(總機)
86 10 68597289(總值班室)